BGB 741L7ESD E6327

Infineon Technologies
726-BGB741L7ESDE63
BGB 741L7ESD E6327

Produc.:

Opis:
RF Amplifier RF BIP TRANSISTORS

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 14 534

Stany magazynowe:
14 534
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
15 000
Oczekiwane: 16.04.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 7500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
3,70 zł 3,70 zł
3,16 zł 31,60 zł
2,96 zł 74,00 zł
2,73 zł 273,00 zł
2,59 zł 647,50 zł
2,46 zł 1 230,00 zł
2,36 zł 2 360,00 zł
2,35 zł 9 400,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 7500)
2,05 zł 15 375,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
RoHS:  
50 MHz to 3.5 GHz
1.8 V to 4 V
10 mA
20 dB
1.05 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSLP-7-1
SiGe
- 6.5 dBm
1 dBm
- 55 C
+ 150 C
BGB741L7
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Infineon Technologies
Liczba kanałów: 1 Channel
Pd – strata mocy: 120 mW
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 7500
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Częstotliwość testowa: 150 MHz
Nazwy umowne nr części: SP000442946 BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1
Jednostka masy: 2 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542330001
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.