GRF0030

Guerrilla RF
459-GRF0030
GRF0030

Produc.:

Opis:
RF Amplifier Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 50W PSAT at 50V or 25W PSAT at 28V

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 35

Stany magazynowe:
35 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
314,03 zł 314,03 zł
269,70 zł 2 697,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
241,19 zł 12 059,50 zł
234,44 zł 23 444,00 zł
250 Oferta

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Guerrilla RF
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
Reel
Cut Tape
Marka: Guerrilla RF
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8542330000
USHTS:
8542330001

GRFx GaN HEMT Power Transistors

Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors are unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications. These transistors operate across a wide frequency range of DC to 6GHz, 7GHz, and 8GHz with an operating drain voltage of 28V and 50V. The GRFx transistors support both linear and pulsed modes and are 100% DC, and RF production tested. These transistors are housed in a compact, industry-standard 3mm x 3mm QFN-16 surface mount package, are lead-free, and RoHS compliant. Typical applications include cellular infrastructure, radar systems, communications, and test instrumentation.