AS3008316-035nX0PTBY

Name: Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-38316035NX0PTBY
Price: 117.48 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

793-38316035NX0PTBY

Nr prod.:

AS3008316-035nX0PTBY

Produc.:

Avalanche Technology

Opis:

MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Karta charakterystyki:

AS3008316-035nX0PTBY Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 1056 Wielokrotności: 96

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	117,48 zł	124 058,88 zł
2 592	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Avalanche Technology
Kategoria produktów:	Pamięć MRAM
RoHS:
Opakowanie/obudowa:	TSOP-54
Rodzaj interfejsu:	Parallel
Wielkość pamięci:	8 Mbit
Organizacja:	512 k x 16
Szerokość magistrali danych:	16 bit
Czas dostępu:	35 ns
Napięcie zasilania – min.:	2.7 V
Napięcie zasilania – max.:	3.6 V
Prąd roboczy zasilania:	12 mA
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 105 C
Seria:	AS3008316
Opakowanie:	Tray
Marka:	Avalanche Technology
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Styl mocowania:	SMD/SMT
Rodzaj produktu:	MRAM
Wielkość opakowania producenta:	96
Nazwa handlowa:	STT-MRAM, MRAM

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

AS3008316-035nX0PTBY Karta charakterystyki (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.