Vishay Moduły MOSFET SIC

Wyniki: 18
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
Karta charakterystyki
2 313Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 25.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 18.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 18.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 20.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 20.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 20.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 20.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 25.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 25.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 17.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 17.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 212 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC