IRFPE Seria Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
2 480Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7.8 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 200 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 800V 4.1A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
112Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube