IRFBF Seria Układy MOSFET

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
9 533Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
2 805Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
Karta charakterystyki
1 478Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
Karta charakterystyki
337Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
848Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
Karta charakterystyki
285Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
364Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800

Si
Vishay / BC Components MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Tube
Vishay / BC Components MOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si Reel, Cut Tape