DFNW-8 Układy MOSFET

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
Karta charakterystyki
1 627Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 80V 337A 1.1mOhms
Karta charakterystyki
5 008Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 80 V 337 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 147 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel


onsemi MOSFETs PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION
Karta charakterystyki
11 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 80 V 348 A 1.25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 196 nC - 55 C + 175 C 5.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 80 V 273 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 125 nC - 55 C + 175 C 258 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
Karta charakterystyki
24 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 433 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 99 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 43 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 558 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 251 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs AFSM T6 60V SG NCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 43 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 50 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 558 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 251 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 50 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 433 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 1 V 205 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel