AC/DC Power Supply

Littelfuse AC/DC Power Supply is a commonly used building block in electronic designs. The components in these power supply building blocks need to be reliable and long-lasting, and Littelfuse offers a range of products that fit those requirements. This portfolio of components covers overcurrent and overvoltage protection, the power stage, and output protection. Typical applications for Littelfuse AC/DC Power Supply products include automotive, solar, industrial, manufacturing, and more.

Wyniki: 18
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
251Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
121Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
232Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 2A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
220Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
295Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
87Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
238Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
29Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Karta charakterystyki
1 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
140Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 350
Wielokr.: 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs IXTY4N65X2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel
IXYS MOSFETs 3 Phase Full Bridge
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT SMD-24 N-Channel 150 V 50 A 24 mOhms Bulk