Vishay IRFBC Seria Układy MOSFET

Wyniki: 19
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 518Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 895Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 920Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
Karta charakterystyki
546Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 053Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
256Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 3.6 Amp
Karta charakterystyki
846Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
Karta charakterystyki
502Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
Karta charakterystyki
787Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 361Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
Karta charakterystyki
453Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 944Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
821Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Karta charakterystyki
437Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
Szpula: 800

Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
Szpula: 800

Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 Tube