STMicroelectronics FDmesh Układy MOSFET

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 855Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 200 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II 498Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp 5 348Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package 1 618Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 200 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp 375Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp 520Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 53 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp 831Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 37 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp 2 058Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 485Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 200 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A 107Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Reel