Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
IXYS MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Karta charakterystyki
538Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 1.07 mW IXFN420N10 Tube
IXYS MOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 06.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 130 A 19 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 900 W IXFN160N30 Tube
IXYS MOSFET Modules 360 Amps 100V
Karta charakterystyki
1 385Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.6 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN360N10 Tube
IXYS MOSFET Modules 155A 250V
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 30.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 168 A 12.9 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 150 C 900 W IXFN180N25 Tube
IXYS MOSFET Modules 230A 200V
Karta charakterystyki
368Oczekiwane: 04.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 7.5 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 1.09 mW IXFN230N20 Tube