STMicroelectronics Moduły MOSFET

Wyniki: 13
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
Karta charakterystyki
124Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Press Fit 6 Channel 30 A 60.5 mOhms 1200 V - 10 V, 22 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
Karta charakterystyki
127Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET Modules ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm N-Channel 1 Channel 750 V 180 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V - 55 C + 150 C Tray
STMicroelectronics MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
Karta charakterystyki
123Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit ACEPACK DMT-32 6 Channel 1.2 kV 30 A 60.5 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET Modules SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
Karta charakterystyki
157Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Press Fit SDIP2B-26 N-Channel 600 V 17 A 170 mOhms - 40 C + 150 C 113 W Tube
STMicroelectronics MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
Karta charakterystyki
519Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC SMD/SMT N-Channel 1.2 kV 30 A 7.5 mOhms - 5 V, + 18 V 1.9 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET Modules ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
Karta charakterystyki
41Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit - 10 V, + 22 V - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics MOSFET Modules ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 650 V, 23 mOhm SiC Power MOSFET NTC
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Press Fit ACEPACK 650 V 58 A 34.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics MOSFET Modules N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
Karta charakterystyki
800Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount ISOTOP 650 V 143 A 15 mOhms - 25 V, + 25 V - 55 C + 150 C Mdmesh M5 Bulk
STMicroelectronics MOSFET Modules ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
Karta charakterystyki
36Oczekiwane: 17.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Press Fit ACEPACK 650 V 28 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 12
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Min.: 132
Wielokr.: 132

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V to + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET Modules SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Tube
STMicroelectronics STIB1060DM2T-LZ
STMicroelectronics MOSFET Modules SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 180 mOhm typ., 10 A, 600 V Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 156
Wielokr.: 156

Si