Tube Tranzystory JFET

Wyniki: 18
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło
Napięcie odcięcia bramka–źródło
Prąd dren–źródło przy Vgs=0
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie
onsemi JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO2
Karta charakterystyki
609Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO
Karta charakterystyki
538Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Karta charakterystyki
62Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Karta charakterystyki
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
onsemi JFETs UF3N120007K4S
Karta charakterystyki
1 423Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 30 V to 30 V 20 uA 120 A 7.1 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UF3N Tube
onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Karta charakterystyki
575Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs UJ4N075005K4S
Karta charakterystyki
437Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4
Karta charakterystyki
617Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO
Karta charakterystyki
604Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4
Karta charakterystyki
325Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4
Karta charakterystyki
558Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Karta charakterystyki
3 583Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 2.25 V - 20 mA - 10 nA 300 Ohms 360 mW - 55 C + 125 C SMPJ177 Tube
onsemi JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2
Karta charakterystyki
465Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO
Karta charakterystyki
513Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Karta charakterystyki
1 808Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube