Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

IGW25N120H3FKSA1

Name: Infineon IGW25N120H3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGW25N120H3FKSA1
Price: 18.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IGW25N120H3FKSA1

Nr prod.:

IGW25N120H3FKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 1 638 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

18,71 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	2.05 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	50 A
Pd – strata mocy:	326 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	Rectifier Diode Module
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Prąd upływowy bramka–emiter:	600 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	IGBTs
Nazwa handlowa:	TRENCHSTOP
Nazwy umowne nr części:	IGW25N120H3 SP000674424
Jednostka masy:	4,430 g