Quad Tranzystory IGBT

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
IXYS IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
Karta charakterystyki
262Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount Quad 1.2 kV 1.45 V - 20 V, 20 V 75 A 275 W - 40 C + 150 C High Speed IGBT H3 Tray