STMicroelectronics Tranzystory IGBT

Wyniki: 205
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Karta charakterystyki
597Oczekiwane: 08.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
290Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Karta charakterystyki
42Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
493Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Karta charakterystyki
209Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
Karta charakterystyki
1 316Oczekiwane: 03.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 1.2 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 6 A 25 W - 55 C + 150 C STGF3NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 13.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 130 W - 55 C + 150 C STGP19NC60SD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
Karta charakterystyki
1 913Oczekiwane: 05.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGP4M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
1 098Oczekiwane: 27.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Karta charakterystyki
600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 01.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA60H65DFB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Karta charakterystyki
396Oczekiwane: 03.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

Si STGB10M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT 475 V 1.25 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB20N45LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 390 V 1.35 V - 12 V, 16 V 125 W - 55 C + 175 C STGD19N40LZ AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 1 000

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGW20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 230 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65FB Tube