OptiMOS P Seria Układy MOSFET

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P 2 439Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 3 645Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 14.9 A 10.3 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 66 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 1 752Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P 3 042Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 6.7 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs P-Ch -20V -4.7A TSOP-6 OptiMOS P Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4.7 A 94 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel