STMicroelectronics MDmesh II Plus Układy MOSFET

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 294Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
653Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh II Plus Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
738Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Tube