STMicroelectronics HB2 Seria Tranzystory IGBT

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
662Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Karta charakterystyki
54Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V HB2 AEC-Q100 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
Karta charakterystyki
692Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
Karta charakterystyki
400Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 23.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Karta charakterystyki
42Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
493Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube