Advanced Linear Devices Układy MOSFET

Wyniki: 109
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.30V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.40V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.60V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.80V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 390 Ohms - 12 V, 12 V 2.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50
Szpula: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 3.02 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Reel