TrenchP Moduły MOSFET

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
IXYS MOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
Karta charakterystyki
658Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 - 15 V, + 15 V - 55 C + 150 C IXTN210P10 Tube
IXYS MOSFET Modules DISCRETE
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 18 A 120 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS MOSFET Modules IXTY26P10T TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 26 A 90 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel
IXYS MOSFET Modules IXTY32P05T TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 43 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 32 A 39 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS MOSFET Modules IXTY48P05T TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 43 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 48 A 30 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel