Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
8Oczekiwane: 16.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PEHPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 800 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
32Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 800 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
32Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
32Oczekiwane: 16.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Karta charakterystyki
32Oczekiwane: 02.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
32Oczekiwane: 16.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
Karta charakterystyki
30Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray