HyperFET Moduły półprzewodnikowe dyskretne

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
IXYS Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 200V 0.023 Rds
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 10
Wielokr.: 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS Discrete Semiconductor Modules 170 Amps 100V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 150
Wielokr.: 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS Discrete Semiconductor Modules 32 Amps 600V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 10
Wielokr.: 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN32N60 Tube