1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

Wyniki: 20
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Technologia
Vf – Napięcie przewodzenia
Vr – napięcie wsteczne
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Styl mocowania
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC Modules SiC Tray


Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
Karta charakterystyki
22Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules Si 4.2 V 1.2 kV - 7 V to + 20 V SMD/SMT Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si 4.2 V - 10 V, + 23 V Press Fit - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Karta charakterystyki
16Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
Karta charakterystyki
13Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
16Oczekiwane: 13.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Karta charakterystyki
39Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
24Oczekiwane: 13.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
22Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
29Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
10Oczekiwane: 19.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

CoolSiC Trench MOSFET Half Bridge SiC - 10 V, 23 V Stud Mount - 40 C + 175 C M1H Tray


Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Karta charakterystyki
17Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Karta charakterystyki
30Oczekiwane: 13.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 12
Wielokr.: 12

SiC Modules SiC Tray