SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Technologia
Vf – Napięcie przewodzenia
Vr – napięcie wsteczne
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
SemiQ Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
Karta charakterystyki
599Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules COPACK Power Module SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 30
Wielokr.: 30

MOSFET-SiC SBD Modules Silicon Carbide (SiC) Module SiC 1.49 V - 5 V, + 10 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 175 C GCMS Tube