SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Technologia
Vf – Napięcie przewodzenia
Vr – napięcie wsteczne
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
ROHM Semiconductor Discrete Semiconductor Modules Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFET-SiC SBD Modules Half Bridge SiC 1.2 kV - 6 V, + 22 V Screw Mount Module - 40 C + 150 C BSMx Tray
ROHM Semiconductor Discrete Semiconductor Modules SIC Pwr Module Chopper
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 4
Wielokr.: 4

MOSFET-SiC SBD Modules Silicon Carbide (SiC) Module SiC 1.6 V 1.2 kV - 4 V, + 22 V Screw Mount Module - 40 C + 150 C Bulk