NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules

onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules feature high efficiency and superior reliability. The NXH100B120H3Q0 integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction and switching losses. onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules are ideal for energy storage systems, solar inverters, and uninterruptible power supply (UPS) applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Technologia Seria Opakowanie
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Discrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN) 24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT-SiC Diode Modules Si NXH100B120H3Q0 Tray
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Discrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN) 312Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 24
Wielokr.: 24
IGBT-SiC Diode Modules Si NXH100B120H3Q0 Tray