Interface IC's Moduły MOSFET

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Seria Opakowanie
Infineon Technologies MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology 18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology 14Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material 17Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material 1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
30Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray