Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Name: Infineon DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DB6U50N16W1RPB11
Price: 125.65 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-DB6U50N16W1RPB11

Nr prod.:

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

Diode Modules 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module

Karta charakterystyki:

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Na stanie magazynowym: 22

Stany magazynowe:: 22 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 22 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	125,65 zł	125,65 zł
	93,57 zł	935,70 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły diodowe
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Vr – napięcie wsteczne:	1.6 kV
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.61 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	HU
Produkt:	Schottky Diode Modules - SBD
Rodzaj produktu:	Diode Modules
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Technologia:	SiC
Nazwy umowne nr części:	DDB6U50N16W1RP_B11 SP005613027

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.