Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MSC50DC120HJ

Name: Microchip MSC50DC120HJ
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC50DC120HJ
Price: 256.19 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

494-MSC50DC120HJ

Nr prod.:

MSC50DC120HJ

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227

Wyświetl w narzędziu Development Tools Selector

Karta charakterystyki:

MSC50DC120HJ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Microchip Technology MSC50DC120HJ

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	256,19 zł	256,19 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły diodowe
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Konfiguracja:	Full Bridge
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	Microchip Technology
Produkt:	SiC Schottky Diode Modules
Rodzaj produktu:	Diode Modules
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Technologia:	SiC

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MSC50DC120HJ Karta charakterystyki (PDF)

DTS

Wyświetl w narzędziu Development Tools Selector

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Silicon Carbide (SiC) Power Modules

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Power Modules combine a formidable array of technologies into a single package optimized for reliability, efficiency, space-saving, and reduced assembly time. The readily available standard module product line from Microchip Technology spans a wide selection of circuit topologies, semiconductors including Silicon Carbide, voltage and current ratings, and packages. Unique requirements can be met with application-specific power modules (ASPM®).