PN2222 Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 17
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
13 288Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222A Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
38 722Na stanie magazynowym
8 375Oczekiwane: 06.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222A Bulk
Rectron Bipolar Transistors - BJT NPN 1A 40V Gen Pur
Karta charakterystyki
27 662Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 1 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2 Bulk
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
11 140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222A Ammo Pack
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Karta charakterystyki
11 366Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222A Reel, Cut Tape
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SW
Karta charakterystyki
17 692Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-92 NPN Single 800 mA 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C Bulk
Rectron Bipolar Transistors - BJT TO92 NPN 1A 40V GenP ur
Karta charakterystyki
9 741Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Ammo Pack
onsemi Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
Karta charakterystyki
Nie
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1.6 V 625 mW 250 MHz - 55 C + 150 C Bulk
Central Semiconductor PN2222A APM PBFREE
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 40V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current 72 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

NPN Ammo Pack
Central Semiconductor PN2222A TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 40V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 42 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

NPN Reel
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 42 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 500

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 40 V 75 V 6 V 300 mV 625 mW 250 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Bulk
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Reel
Central Semiconductor PN2222A APM TIN/LEAD
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 40V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current Niedostępne na stanie
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

NPN Ammo Pack
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Central Semiconductor PN2222A TRE PBFREE
Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 40V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

NPN Reel