350 W Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 15
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora Technologia Id – Ciągły prąd drenu Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Rds On – rezystancja dren–źródło Częstotliwość robocza Wzmocnienie Moc wyjściowa Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz 75Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 175 MHz 15 dB 350 W + 200 C Screw Mount Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch 110Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
Ampleon RF MOSFET Transistors BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP 48Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 250 mOhms, 370 mOhms 600 MHz to 960 MHz 18.6 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP 100Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP 35Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Tray
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F. Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 13 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 300
: 300

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106.7 mOhms, 211.9 mOhms 1.452 GHz to 1.492 GHz 15 dB 350 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 13 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106.7 mOhms, 211.9 mOhms 1.452 GHz to 1.492 GHz 15 dB 350 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 2.9 GHz 14 dB 350 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 2.9 GHz 14 dB 350 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
MACOM RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50
: 50

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-36248-2 Reel
MACOM RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET Niedostępne na stanie
Min.: 250
Wielokr.: 250
: 250

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-36248-2 Reel
MACOM RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50
: 50

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-37248-2 Reel
MACOM RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET Niedostępne na stanie
Min.: 250
Wielokr.: 250
: 250

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-37248-2 Reel
ZiLOG RF MOSFET Transistors IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 Niedostępne na stanie
Min.: 30
Wielokr.: 30

N-Channel Si 18 A 600 V 530 mOhms 350 W - 55 C + 175 C Through Hole TO-247-3 Tube