Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Rodzaj tranzystora
Technologia
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
CEL RF JFET Transistors 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Karta charakterystyki
90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Karta charakterystyki
11 308Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET Transistors RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Karta charakterystyki
2 803Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET Transistors RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Karta charakterystyki
12 587Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 15 000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET Transistors 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Karta charakterystyki
6 922Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Karta charakterystyki
594Na stanie magazynowym
720Oczekiwane: 17.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL RF JFET Transistors 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Karta charakterystyki
113Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET Transistors 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Karta charakterystyki
1 897Na stanie magazynowym
15 000Oczekiwane: 28.04.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 15 000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET Transistors 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 15 000
Wielokr.: 15 000
Szpula: 15 000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel