Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
5 642Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
563Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 06.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
2 547Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
218Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 06.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 81 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel