Hall Effect ICs

ROHM Semiconductor Hall Effect ICs include unipolar detection, omnipolar detection, bipolar detection, and omnipolar with polarity detection ICs. These ICs feature a low average current of 3.5µA and fully-integrated CMOS logic output circuitry. The integrated dynamic offset cancellation provides high sensitivity, allowing for less precise placement of the permanent magnet. The product is rated at 8kV ESD withstand and rated for -40°C to +85°C operation. The Hall ICs are ideal for a wide range of portable consumer electronics applications including mobile phones, digital cameras, and computers.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 N-CH 60V 20A 4 549Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8G N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN 100V 2A DUAL CH 17 338Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 2 A, 1 A 207 mOhms, 840 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC, 6.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
5 892Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-8D P-Channel 2 Channel 100 V 1 A 840 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape