Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIRS5800DP-T1-GE3

Name: Vishay SIRS5800DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIRS5800DP-T1-GE3
Price: 15.44 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIRS5800DP-T1-GE3

Nr prod.:

SIRS5800DP-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

Karta charakterystyki:

SIRS5800DP-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIRS5800DP-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 7 280

Stany magazynowe:: 7 280 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	15,44 zł	15,44 zł
	10,19 zł	101,90 zł
	7,18 zł	718,00 zł
	6,49 zł	3 245,00 zł
	6,24 zł	6 240,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	5,68 zł	17 040,00 zł
	5,50 zł	33 000,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8S
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	265 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	81 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	240 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	16 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	10 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIRS5800DP-T1-GE3 Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIP32433 Single-Channel eFuses

Vishay / Siliconix SIP32433 Single-Channel eFuses integrate multiple control and protection features. The SIP32433 provides increased controllability and reliability, with simplified designs and minimal external components. The SIP32433A and SIP32433B protect power sources and downstream circuitry connected to the switch. Protection includes overloads, short circuits, voltage surges, and excessive inrush currents.