Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NCV8413DTRKG

Name: onsemi NCV8413DTRKG
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8413DTRKG
Price: 7.87 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NCV8413DTRKG

Nr prod.:

NCV8413DTRKG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs Protected Low-Side Smart Discrete FET

Karta charakterystyki:

NCV8413DTRKG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NCV8413DTRKG

Na stanie magazynowym: 1 869

Stany magazynowe:: 1 869 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 13 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 1869 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	7,87 zł	7,87 zł
	5,33 zł	53,30 zł
	4,47 zł	447,00 zł
	4,34 zł	2 170,00 zł
	4,18 zł	4 180,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	4,18 zł	10 450,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	42 V
Id – Ciągły prąd drenu:	17 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	68 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 14 V, 14 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2.72 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	VN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NCV8413
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	44 us, 60 us
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 us, 25 us
Jednostka masy:	330 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NCV8413DTRKG Karta charakterystyki

Application Notes

Low-Side Self-Protected MOSFET

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Low-Side Smart Discrete FETs

onsemi Low-Side Smart Discrete FETs can replace electromechanical relays and discrete circuits. These three-terminal-protected devices are suitable for harsh automotive environments. Protection features include Delta Thermal Shutdown, overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated Drain to Gate clamping for over-voltage protection. onsemi Low-Side Smart Discrete FETs can switch various resistive, inductive, and capacitive loads.