Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
IXYS MOSFET Modules ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
Karta charakterystyki
Czas realizacji 41 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 100 V 190 A 2.2 mOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 150 C Tube
IXYS MOSFET Modules MOSFET Module - Sixpack ISOPLUS-DIL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 104
Wielokr.: 104
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 75 V 255 A 1.3 mOhms - 15 V, + 15 V 2.3 V - 55 C + 150 C Tube