CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs allow an excellent level of SiC performance while fulfilling the highest quality standards in all common power scheme combinations (AC-DC, DC-DC, and DC-AC). SiC MOSFETs offer additional performance for photovoltaic inverters, energy storage systems, EV charging, power supplies, and motor drives, compared to Si alternatives. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs further advance the unique XT interconnection technology (e.g., in discrete housings TO-263-7, TO-247-4) that overcomes the common challenge of improving semiconductor chip performance while maintaining thermal capability. The G2 thermal capability is 12% better, boosting the chip figures-of-merit to a robust level of SiC performance.

Rodzaje tranzystorów

Zmień widok kategorii
Wyniki: 40
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 433Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 880Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 437Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 611Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 739Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 435Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 5 769Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 22.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 295Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 460Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 307Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 13Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 11.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2 13Na stanie magazynowym
750Oczekiwane: 23.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
1 680Oczekiwane: 14.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
15 600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
1 162Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel