SLLIMM Nano Modules for FOC Motor Control

STMicroelectronics SLLIMM Nano Modules for FOC Motor Control offer field-oriented control (FOC) or vector control. FOC is a technique for variable frequency control of the stator in a three-phase AC induction motor drive using two orthogonal components. One defines the magnetic flux generated by the stator, while the other corresponds to the torque as determined by the speed of the motor determined by the rotor position. STMicroelectronics offers an entire range of power semiconductors and ICs, including discrete IGBTs and power MOSFETs. They also offer power modules and intelligent power modules (IPM), high-voltage gate drivers, and powerful STM32 microcontrollers needed to implement high-efficiency variable-frequency drive (VFD) motor control.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
Karta charakterystyki
368Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
Karta charakterystyki
467Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
Karta charakterystyki
340Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 400

IGBT Modules Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Karta charakterystyki
219Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
Karta charakterystyki
81Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V, short-circuit rugged I
Karta charakterystyki
272Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 360
Wielokr.: 360

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 360
Wielokr.: 360

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 360
Wielokr.: 360

IGBT Modules SiC Through Hole N2DIP-26
STMicroelectronics MOSFET Modules SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 156
Wielokr.: 156

MOSFET Modules Si
STMicroelectronics STIB1060DM2T-LZ
STMicroelectronics MOSFET Modules SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 180 mOhm typ., 10 A, 600 V Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 156
Wielokr.: 156

MOSFET Modules Si