STMicroelectronics PowerMESH Elementy dyskretne półprzewodnikowe

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 19
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
STMicroelectronics IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
Karta charakterystyki
1 561Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics MOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
Karta charakterystyki
1 176Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 40 Amp
Karta charakterystyki
146Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 53 Amp
Karta charakterystyki
199Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
Karta charakterystyki
565Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3


STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
4 058Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole IPAK-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
Karta charakterystyki
1 983Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL IGBT
Karta charakterystyki
2 808Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
Karta charakterystyki
815Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 13.04.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs PowerMESH MOSFET
Karta charakterystyki
1 497Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
Karta charakterystyki
3 412Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
Karta charakterystyki
1 190Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh
Karta charakterystyki
518Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 13.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
Karta charakterystyki
589Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
Karta charakterystyki
544Na stanie magazynowym
2 100Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
Karta charakterystyki
354Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics IGBT Modules N-Ch 600 Volt 150Amp
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 24.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole ISOTOP-4
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
Karta charakterystyki
1 004Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics IGBTs N Ch 10A 600V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)