Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TPHR9203PL1,LQ

Name: Toshiba TPHR9203PL1,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPHR9203PL1LQ
Price: 8.34 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TPHR9203PL1LQ

Nr prod.:

TPHR9203PL1,LQ

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

Karta charakterystyki:

TPHR9203PL1,LQ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TPHR9203PL1,LQ

Na stanie magazynowym: 30 034

Stany magazynowe:: 30 034 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,34 zł	8,34 zł
	5,38 zł	53,80 zł
	3,63 zł	363,00 zł
	2,90 zł	1 450,00 zł
	2,75 zł	2 750,00 zł
	2,65 zł	6 625,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	2,38 zł	11 900,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOP-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	320 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	610 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.1 V
Qg – ładunek bramki:	81 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	170 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	18 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	8 ns
Seria:	UMOS IX-H
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	71 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns
Nazwy umowne nr części:	TPHR9203PL1,LQ(M

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TPHR9203PL1,LQ Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).