Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TPH2R306NH1,LQ

Name: Toshiba TPH2R306NH1,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH2R306NH1LQ
Price: 8.47 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TPH2R306NH1LQ

Nr prod.:

TPH2R306NH1,LQ

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

Karta charakterystyki:

TPH2R306NH1,LQ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TPH2R306NH1,LQ

Na stanie magazynowym: 7 365

Stany magazynowe:: 7 365 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	8,47 zł	8,47 zł
	5,42 zł	54,20 zł
	3,70 zł	370,00 zł
	2,95 zł	1 475,00 zł
	2,72 zł	2 720,00 zł
	2,67 zł	6 675,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	2,67 zł	13 350,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOP-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	190 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	72 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	170 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	16 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	9.9 ns
Seria:	U-MOSVIII-H
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	29 ns
Nazwy umowne nr części:	TPH2R306NH1,LQ(M

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TPH2R306NH1,LQ Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.