Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SICW080N120H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW080N120H4-BP
Price: 16.64 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

833-SICW080N120H4-BP

Nr prod.:

SICW080N120H4-BP

Produc.:

Micro Commercial Components (MCC)

Opis:

SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

SICW080N120H4-BP Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120H4-BP

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1800 Wielokrotności: 1800

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,64 zł	29 952,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Micro Commercial Components (MCC)
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	33 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	134 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	131 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	224 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	26.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	6.5 S
Opakowanie:	Bulk
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	64 ns
Wielkość opakowania producenta:	1800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SICW080N120H4-BP Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Tranzystory MOSFET SiC SICW0x 1200 V z kanałem typu N

Tranzystory MOSFET SiC z kanałem N SICW0x 1200 V firmy Micro Commercial Components (MCC) zwiększają wydajność w uniwersalnych obudowach TO-247-4, TO-247-4L i TO-247AB. Te tranzystory MOSFET charakteryzują się wysoką prędkością przełączania, niskim ładowaniem bramki, elastycznością projektowania i niezawodnością. Tranzystory MOSFET SiC SICW0x 1200 V oferują typowy szeroki zakres rezystancji włączenia 21 mΩdo 120 m Ω i niezawodną wydajność. Mają doskonałe właściwości termiczne i szybką wewnętrzną diodę, co zapewnia płynną i wydajną pracę w trudnych warunkach. Tranzystory MOSFET SiC SICW0x są dostępne w konfiguracjach 3-stykowych i 4-stykowych (źródło Kelvina). Typowe zastosowania obejmują napędy silnikowe, urządzenia spawalnicze, zasilacze, systemy energii odnawialnej, infrastrukturę ładowania, systemy chmurowe i zasilacze awaryjne (UPS).