Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - BJT Transistor, BJT PNP -50V (Vceo), -150mA (Ic), 3-Pin
Karta charakterystyki
7 111Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000
Si SMD/SMT SOT-723-3 PNP Single 200 mA 50 V 60 V 6 V 500 mV 150 mW 140 MHz 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - BJT Transistor, BJT NPN 50V (Vceo), 150mA (Ic), 3-Pin
Karta charakterystyki
7 002Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000
Si SMD/SMT SOT-723-3 PNP Single 200 mA 50 V 60 V 7 V 400 mV 150 mW 180 MHz 150 C Reel, Cut Tape