RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 163
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723 6 583Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

MOSFETs Si SMD/SMT VESM-3
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4 562Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323
9 000Oczekiwane: 02.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

SOD-323-2
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
5 990Oczekiwane: 02.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
6 000Oczekiwane: 08.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416 Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 11 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) N/A
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563 N/A
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) N/A
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10kOhm, Q2BSR=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6