Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie

Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 4 302Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20.7 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 44.8 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 5 267Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 40 V 17.3 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 7.14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel