Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 60
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Karta charakterystyki
529Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
Karta charakterystyki
61Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC
Karta charakterystyki
714Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
Karta charakterystyki
235Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
Karta charakterystyki
1 701Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor MOSFET Modules SIC Pwr Module Half Bridge
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes DIODE: 6A 600V
Karta charakterystyki
649Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Karta charakterystyki
87Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor MOSFET Modules 300A SiC Power Module
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
752Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
1 391Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
117Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Nch 1200V 95A SiC TO-247N
Karta charakterystyki
66Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 12.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
102Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
322Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
839Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
174Na stanie magazynowym
900Oczekiwane: 26.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Karta charakterystyki
150Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
92Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 20.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
1 350Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
Karta charakterystyki
770Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen
Karta charakterystyki
830Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 15A D2PAK
Karta charakterystyki
46Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 25.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3