NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules

onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules feature high efficiency and superior reliability. The NXH100B120H3Q0 integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction and switching losses. onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules are ideal for energy storage systems, solar inverters, and uninterruptible power supply (UPS) applications.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
onsemi IGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
Karta charakterystyki
28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Discrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
onsemi IGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
Karta charakterystyki
96Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 24
Wielokr.: 24

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Discrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Karta charakterystyki
480Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 24
Wielokr.: 24
Discrete Semiconductor Modules Si