Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STWA65N023M9

Name: STMicroelectronics STWA65N023M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA65N023M9
Price: 54.14 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STWA65N023M9

Nr prod.:

STWA65N023M9

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STWA65N023M9 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STWA65N023M9

Na stanie magazynowym: 354

Stany magazynowe:: 354 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	54,14 zł	54,14 zł
	33,11 zł	331,10 zł
	31,39 zł	3 766,80 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Id – Ciągły prąd drenu:	95 A
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.2 V
Qg – ładunek bramki:	230 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	MDmesh M9
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	6,100 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STWA65N023M9 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

SPICE Models

STWA65N023M9 (Kompresowanie Zip)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.